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北京英格海德分析技術有限公司
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The laser MBE is very suitable for the atomic layer controlled growth of oxides / nitrides, and also suits for a simple and inexpensive apparatus comparing with conventional MBE.
PLD MBE激光分子束外延鍍膜系統的主體是一個UHV激光分子束外延裝置。使用準分子激光進行基底加熱；脈沖激光做為幅照源。使用兩個組合的掩膜和一個掃描式的反射高能電子衍射（RHEED）設備，系統能同時制備很多樣品（250個/10mm2）。每個樣品都是原子級的控制，可以設置不同的生長條件。在UHV中使用激光輻照的組合的掩模和靶材。
這個組合膜沉積的概念，是由于使用分離的基底、小區域的掩模和每個樣品不同的生長參數導致的沉積條件的系統變化。的貢獻就是可以快速地篩選生長條件。
·精準層蔽控制原子
·層外延膜結構或形態
·均勻或梯度的快速
·振蕩信號需依成膜條件和成膜品質
·專業LabView提供全自動制程數字控制
·9項日本、3個國際
·激光加熱： 溫度 >1000℃)
·高壓可操作： ~133Pa
·6種靶材的公轉和自轉
·鍍膜腔真空度： ~5e-9Torr
·Load-Lock腔： ~5e-7 Torr 可放置兩個樣品以及四個靶材
·全自動數字控制
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