當前位置：深圳市柯雷科技開發有限公司>>強磁場>>X113高精度儀器級氮化鎵霍爾傳感器>>X113高精度儀器級氮化鎵霍爾傳感器

X113高精度儀器級氮化鎵霍爾傳感器

返回列表頁

參考價

面議

具體成交價以合同協議為準

產品型號

品牌

廠商性質其他

所在地深圳市

在線詢價收藏產品查看聯系電話

聯系方式：查看聯系方式

更新時間：2025-05-12 09:32:58瀏覽次數：22次

聯系我時，請告知來自智慧城市網

產品分類 品牌分類

  強磁場

X113高精度儀器級氮化鎵霍爾傳感器

模擬&數字變送器

GSP303D三維數字磁場變送器

GSP303D-S三維數字磁場變送器

磁場測試系統

臺式高斯計

手持式高斯計

全部產品列表

暫無信息

深圳市柯雷科技開發有限公司

經營模式：其他

商鋪產品：78條

所在地區：

詢價 給他留言

產品簡介

詳細介紹

提供專業的磁場測量解決方案
強磁場測量儀器(0 - 20T)
型號	原理	類型	軸數	DC精度	量程	分辨率
X113	霍爾	霍爾元件	1	<>	15T	TC: 30ppm/K
G80	霍爾	手持式	1	2%	2T	10μT
G81	霍爾	手持式	1	0.8%	10T	1μT
G82	霍爾	手持式-高頻	1	0.8%	10T	1μT
G83	霍爾	手持式	3	0.8%	10T	1μT
G92	霍爾	手持式	1	1%	10T	10μT
G93	霍爾	手持式	3	1%, 0.5%	20T	1μT
G201	霍爾	臺式	1	0.2%	10T	1μT
G203	霍爾/磁阻	臺式	3	0.2%	10T	10nT
G401	霍爾	臺式	1	0.04%	10T	1μT
G403	霍爾	臺式	3	0.04%	10T	1μT
GSP301A	霍爾	模擬變送器	1	1%, 0.2%	10T	Output: ±3V
GSP301D	霍爾	數字變送器	1	1%, 0.2%	10T	1μT
GSP303D	霍爾	數字變送器	3	1%, 0.2%	20T	1μT
GSP303D-S	霍爾	數字變送器	3	0.5%, 0.1%	3T	1μT
磁場測試系統
GAS3000	陣列磁場檢測系統，同步檢測多達128個位置的磁場
GMS980	高精度高斯計標定系統（高精度特斯拉計檢定裝置）
弱磁場測量儀器(0- 2mT)
弱磁場高斯計
型號	原理	類型	軸數	DC精度	量程	分辨率
GMR61	磁阻	手持式	1	0.8%	600μT	10nT
GMR63	磁阻	手持式	3	0.8%	600μT	10nT
GF601	磁通門	手持式	1	0.5%	1mT	0.1nT
GF603	磁通門	手持式	3	0.25%	1mT	0.1nT
GF633	磁通門	臺式	3	0.1%	100μT	0.01nT
GFP703	磁通門	智能變送器	3	0.5%	1mT	0.1nT
GFP703S	磁通門	頻譜分析儀	3	0.5%	1mT	0.01nT
GFP803	磁通門	智能變送器	3	0.2%	1mT	0.1nT
交流磁場測量(DC- 1MHz)
型號	原理	類型	軸數	AC精度	量程	頻率響應
AMS-2K	交流線圈	模擬傳感器	1	1%	3mT	30Hz- 2kHz
AMS-1M	交流線圈	模擬傳感器	1	1%	3mT	2kHz- 1MHz
G1000	磁阻	智能變送器	3	DC- 1% AC- 2%	400μT/ Axis	DC- 1MHz
GA1000	磁阻	手持式	3	2%	400μT/ Axis	30Hz- 1MHz
GSP301HFA	磁阻	模擬變送器	1	1%	150μT	20Hz-1.2MHz
GSP303HFA	磁阻	模擬變送器	1	1%	150μT	20Hz-1.2MHz
磁通門傳感器
型號	原理	類型	軸數	噪聲等級	量程	輸出
F901	磁通門	經濟型	3	10 to 20pT	1000μT	±10V,單端
F902	磁通門	低噪聲	3	<>	100μT	±10V,單端
F903	磁通門	低功耗	3	10 to 20pT	200μT	±3V,差分
F904	磁通門	低功耗\|低噪聲	3	<>	100μT	±3V,差分
F905	磁通門	高性能\|低噪聲	3	<>	100μT	±10V,單端
F906	磁通門	低功耗	3	10 to 20pT	100μT	±3V,差分
F23	磁通門	分體式\|大量程	3	<>	1500μT	±10V,單端
F53	磁通門	高溫型	3	≤300pT@175℃	100μT	±5V,差分
磁通門傳感器數據采集單元
FDU301	可連接1個三軸磁通門傳感器
ASA1000	可連接2-126個單軸磁通門傳感器或者2-42個三軸磁通門傳感器
AFS	陣列磁通門傳感器檢測系統，可連接多個磁通門磁場變送器
GMR-16	微型弱磁場傳感器陣列，可同步采集2-16個微型弱磁場傳感器的數據
GR100	數字式三軸磁通門梯度儀
備注： 1、磁場單位換算：1T= 10kG; 1mT= 10G; 1μT= 10mG; 1nT= 10μG 2、點擊上表左側型號，可查閱相應型號的產品資料

Features:

l Instrumentation Quality

l Excellent linearity error : 0.05%

l TC of sensitivity: 30ppm/K

l Max Range : 15T

Typical Applications

l Current and power measurement

l Magnetic field measurement

l Control of brushless DC motors

l Rotation and position sensing

l Measurement of diaphragm

The third-generation semiconductor gallium nitride (GaN) Hall sensor X113, built into a SMT package (SOT-143), has the characteristics of good temperature stability, high linearity and low noise, which is superior to the second-generation semiconductor gallium arsenide (GaAs) sensor technology.

Hall sensor X113 is outstanding for its excellent linearity error 0.05% and very low temperature coefficients 30ppm/K. While the sensor is operated with constant current, the output hall voltage is directly proportional to a magnetic field acting perpendicular to the surface of the sensor.

Maximum Ratings

Parameter	Symbol	Value	Unit
Operating temperature	TA	– 40 ? + 100	°C
Storage temperature	Tstg	– 60 ? + 130	°C
Supply current	I1	30	mA
Thermal conductivity, soldered in air	GthC GthA	3 2.2 3 1.5	mW/K mW/K

Characteristics (T_A = 25℃)

Parameter	Condition	MIN	TYP	MAX	Unit
Nominal supply current	I1N		20	30	mA
Open-circuit hall voltage I1 = I1N, B = 0.1 T	V20	7.0		9.0	mV
Ohmic offset voltage I1 = I1N, B = 0 T	VR0		0.1	0.3	mV
Active area (in the sensor center)			0.07		mm²
Linearity of Hall voltage B = 0.1 ? 2.0 T	FL		0.05		%
Input resistance B = 0 T	R10	60		75	W
Output resistance B = 0 T	R20	60		75	W
Temperature coefficient of the open-circuit Hall-voltage I1 = I1N, B = 0.5 T	TCV20		-30		ppm/K
Temperature coefficient of the internal resistance B = 0 T	TCR10, R20		0.08		%/K
Temperature coefficient of ohmic offset voltage I1 = I1N, B = 0 T	TCVR 0	1		4	μT/K
Noise figure	F		10		dB
Range		10		15	Tesla