硅（Si）薄膜基片晶體
Si 用途：用作半導體材料，大功率晶體管，整流器，太陽能電池等。
供應產品目錄：
主要性能參數 | |||
晶體結構 | 面心立方 | ||
熔點（℃） | 1420 | ||
密度 | 2.4（g/cm3） | ||
摻雜物質 | 不參雜 | 摻B | 摻P |
類 型 | N或P | P | N |
電 阻 率 | >1000Ωcm | 10-3~40Ωcm | 102~104Ωcm |
E P D | ≤100∕cm2 | ≤100∕cm2 | ≤100∕cm2 |
氧含量（∕cm3） | ≤1~1.8×1018 | ≤1~1.8×1018 | ≤1~1.8×1018 |
碳含量（∕cm3） | ≤5×1016 | ≤5×1016 | ≤5×1016 |
尺寸 | 10×10mm、15×15mm、Dia50.8mm、Dia76.2mm、Dia100mm 可按照客戶需求，定制方向和尺寸的基片 | ||
厚度 | 0.3-0.5mm、1.0mm | ||
尺寸公差 | <±0.1mm | ||
厚度公差 | <±0.015mm要求可<±0.005mm） | ||
拋光 | 單面或雙面 | ||
晶面定向精度 | ±0.5° | ||
邊緣定向精度 | 2°（要求可1°以內） | ||
取向 | <100>、<110>、<111>等 | ||
供應產品目錄：
| 摻鎢(W)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體 | >10平方毫米 |
| 摻鐵(Fe)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體 | >25平方毫米 |
| 摻鉭(Ta)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體 | >25平方毫米 |
| 摻鎳(Ni)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體 | （單層和多層 ）厚度可定制 |
| 摻鈮(Nb)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體 | >50平方毫米 |
| 摻錸(Re)MoSe2晶體 | >50平方毫米 |
| MoSe2 二硒化鉬晶體 | >10平方毫米 |
| 摻鈮(Nb)MoS2 二硫化鉬晶體 | >25平方毫米 |
| MoS2 二硫化鉬晶體>10、25、100平方毫米 | >50平方毫米 |
| In2Se3晶體 | >10平方毫米 |
| In2P3Se9 晶體 | >25平方毫米 |
| HfTe5晶體 | >25平方毫米 |
| HfTe2 碲化鉿晶體 | （單層和多層 ）厚度可定制 |
| HfSe2 硒化鉿晶體 | >50平方毫米 |
| HfS2 硫化鉿晶體 | >25平方毫米 |
| GeSe 硒化鍺晶體 | >25平方毫米 |
| GaTe晶體 | >10平方毫米 |
| GaSe 硒化鎵晶體 | >25平方毫米 |
| Fe3GeTe2晶體 | >50平方毫米 |
| CuS 晶體 | >25平方毫米 |
| CdI2晶體>10平方毫米 | >25平方毫米 |
| BiTe晶體>10平方毫米 | >10平方毫米 |
溫馨提示：西安齊岳生物供應產品用于科研，不能用于人體
yyp2021.6.24
硅（Si）薄膜基片晶體
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