ESD產生的原因多種多樣，對集成電路放電的方式也有所不同。為了保證集成電路產品的良率，提高可靠性，需要對集成電路ESD防護能力進行測試。一般可分為兩類：樣品研究型測試和產品通過型測試。樣品研究型測試：在芯片的研發階段，與ESD防護研究相關的是防護器件的功能測試。此階段的測試廣泛采用傳輸線脈沖技術（TLP）。通過TLP測試，可以獲得防護器件的關鍵性能參數，便于在生產制造過程中調整相關的設計，從根本上提高產品的ESD防護能力，保證良率。在產品通過型測試中，為了更好地量化不同情形下的ESD沖擊，一般分為五種不同的模型。包括工業界作為產品片上ESD等級衡量標準的HBM，CDM，MM模型和針對板級和系統級ESD防護的IEC（International electrotechnical commission）模型和HMM人體金屬模型（Human metal model）。人體因摩擦等原因帶上一定的靜電荷之后，與集成電路的某些引腳接觸且集成電路的另一部分引腳恰巧接觸到地時，人體上的靜電荷就會流經集成電路進入大地。人體能貯存一定的電荷，所以人體明顯地存在電容。人體也有電阻，這電阻依賴于人體肌肉的彈性、水份、接觸電阻等因素。大部分研究人員認為電容器串一電阻是較為合理的電氣模型,。早在1962年，美國國家礦務局測得22人次人體電容范圍為95～398PF，平均電容值為240，100次試驗測得手與手之間的平均電阻為4000Ω。這些數據為建立了人體模型起了一個好的開端，做過一些修改之后，用在電子工業中建立早期的模擬電路。Kirk等人測得人體電容值的范圍為132－190PF。人體電阻值為87－190Ω。為了求得一致，美國1980年提出了一個電容值為100PF，電阻為1.5ｋΩ的所謂“標準人體模型"。
