GCSTD-D新款GCSTD系列 土壤介電常數(shù)測(cè)定儀的詳細(xì)資料：
精度要求
在第5章和附錄 A中所規(guī)定的精度是:電容率精度為士1%，介質(zhì)損耗因數(shù)的精度為士(5%士0.0005)。這些精度至少取決于三個(gè)因素:即電容和介質(zhì)損耗因數(shù)的實(shí)測(cè)精度;所用電極裝置引起的這些量的校正精度;極間法向真空電容的計(jì)算精度(見表 1).在較低頻率下，電容的測(cè)量精度能達(dá)士(0.1%士。02pF)，介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)量精度能達(dá)士(2%士0.00005)。在較高頻率下，其誤差增大，電容的測(cè)量精度為士(0.5%士0. 1pF)，介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)量精度為士(2%土。.0002).
對(duì)于帶有保護(hù)電極的試樣，其測(cè)量精度只考慮極間法向真空電容時(shí)有計(jì)算誤差。但由被保護(hù)電極和保護(hù)電極之間的間隙太寬而引起的誤差通常大到百分之零點(diǎn)幾，而校正只能計(jì)算到其本身值的百分之幾。如果試樣厚度的測(cè)量能精確士。.005mm，則對(duì)平均厚度為 1. 6mm的試樣，其厚度測(cè)量誤差能達(dá)到百分之零點(diǎn)幾。圓形試樣的直徑能測(cè)定到士0.1%的精度，但它是以平方的形式引人誤差的，綜合這些因素，極間法向真空電容的測(cè)量誤差為10.5%e
對(duì)表面加有電極的試樣的電容，若采用測(cè)微計(jì)電極測(cè)量時(shí)，只要試樣直徑比測(cè)微計(jì)電極足夠小，則只需要進(jìn)行極間法向電容的修正。采用其他的一些方法來測(cè)量?jī)呻姌O試樣時(shí)，邊緣電容和對(duì)地電容的計(jì)算將帶來一些誤差，因?yàn)樗鼈兊恼`差都可達(dá)到試樣電容的2%-40%。根據(jù)目前有關(guān)這些電容資料，計(jì)算邊緣電容的誤差為 10%，計(jì)算對(duì)地電容的誤差為25 。因此帶來總的誤差是百分之幾十到百分之幾。當(dāng)電極不接地時(shí)，對(duì)地電容誤差可大大減小。
采用測(cè)微計(jì)電極時(shí)，數(shù)量級(jí)是。.03的介質(zhì)損耗因數(shù)可測(cè)到真值的士0.0003，數(shù)量級(jí)0.0002的介質(zhì)損耗因數(shù)可測(cè)到真值的士。.00005。介質(zhì)損耗因數(shù)的范圍通常是。.0001-0.1，但也可擴(kuò)展到。.1以上。頻率在10MH:和20MHz之間時(shí)，有可能檢測(cè)出。.00002的介質(zhì)損耗因數(shù)。1-5的相對(duì)電容率可測(cè)到其真值的士20o，該精度不僅受到計(jì)算極間法向真空電容測(cè)量精度的限制，也受到測(cè)微計(jì)電極系統(tǒng)誤差的限制
簡(jiǎn)要介紹
測(cè)試材料：
無源元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能分析。
半導(dǎo)體元件：變?nèi)荻O管的C-VDC特性；晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析
其它元件：印制電路板、繼電器、開關(guān)、電纜、電池等的阻抗評(píng)估
介質(zhì)材料：塑料、陶瓷和其它材料的介電常數(shù)和損耗角評(píng)估
磁性材料：鐵氧體、非晶體和其它磁性材料的導(dǎo)磁率和損耗角評(píng)估
半導(dǎo)體材料：半導(dǎo)體材料的介電常數(shù)、導(dǎo)電率和C-V特性
液晶材料：液晶單元的介電常數(shù)、彈性常數(shù)等C-V特性
新款GCSTD系列 土壤介電常數(shù)測(cè)定儀
新款GCSTD系列 土壤介電常數(shù)測(cè)定儀
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