優勢和特點

• 低噪聲（0.1 Hz至10 Hz）
  ADR420: 1.75 μV峰峰值
  ADR421: 1.75 μV 峰峰值 
  ADR423: 2.0 μV 峰峰值 
  ADR425: 3.4 μV 峰峰值

• 低溫度系數：3 ppm/°C

• 長期穩定性：50 ppm/1000小時

• 負載調整率：70 ppm/mA

• 電壓調整率：35 ppm/V

• 低遲滯：40 ppm（典型值）

• 寬工作電壓范圍
  ADR420: 4 V至18 V 
  ADR421: 4.5 V 至18 V 
  ADR423: 5 V 至 18 V 
  ADR425: 7 V 至18 V

• 靜態電流：0.5 mA（值）

• 高輸出電流：10 mA

• 寬溫度范圍：−40°C至+125°C

產品詳情

ADR42x系列為超精密、第二代外加離子注入場效應管(XFET)基準電壓源，具有低噪聲、高精度和出色的長期穩定特性，采用SOIC和MSOP封裝。 

利用溫度漂移曲率校正技術和XFET技術，可以使電壓隨溫度變化的非線性度降至最小。XFET架構能夠為帶隙基準電壓源提供出色的精度和熱滯性能。與嵌入式齊納二極管基準電壓源相比，還能以更低的功耗和更小的電源裕量工作。

ADR42x具有出色的噪聲性能、穩定性和精度，非常適合光纖網絡和醫療設備等精密轉換應用。此外還可利用其調整引腳，在±0.5%范圍內調整輸出電壓，其它性能則不受影響。ADR42x系列分為兩種電氣等級，額定溫度范圍為−40°C至+125°C擴展工業溫度范圍，提供8引腳SOIC封裝或8引腳MSOP封裝（后者比前者小30%）。

應用

• 精密數據采集系統

• 高分辨率轉換器

• 電池供電儀器儀表

• 便攜式醫療儀器

• 工業過程控制系統

• 精密儀器

• 光纖網絡控制電路